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索尼CMOS传感器设计大升级:内嵌DRAM缓存
时间:2021-10-10 01:32 点击次数:
本文摘要:随着工程和生产水平的日新月异,我们以求在更加小的尺寸里拿起更好的东西,智能手机就是一个极具代表性的例子。虽然小巧,但其处置性能早已与许多入门级笔记本非常。 另一方面,其摄像头传感器也获得了长足进步,但在像素数朝着几千万普及、以及4K视频录音的巨量数据市场需求下,影像处理器(ISP)也遇上了瓶颈压力。好消息是,索尼早已将照相机传感器技术提高到了新的水平。 在其近期透露的面向智能机的3层BSI(背照式)CMOS传感器设计中,我们找到它早已嵌入了DRAM内存。

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随着工程和生产水平的日新月异,我们以求在更加小的尺寸里拿起更好的东西,智能手机就是一个极具代表性的例子。虽然小巧,但其处置性能早已与许多入门级笔记本非常。

另一方面,其摄像头传感器也获得了长足进步,但在像素数朝着几千万普及、以及4K视频录音的巨量数据市场需求下,影像处理器(ISP)也遇上了瓶颈压力。好消息是,索尼早已将照相机传感器技术提高到了新的水平。

在其近期透露的面向智能机的3层BSI(背照式)CMOS传感器设计中,我们找到它早已嵌入了DRAM内存。随机存储器(RAM)的速度迅速,但也具有易失的缺点,因此其主要作为存储设备和处理器之间的数据枢纽。

DRAM被嵌在了传感器的像素层与电路层之间但是现在,索尼将动态随机存取器(DRAM)的优势,中用了提高影像传感器的速度上。不仅如此,它还很大地榨取了自身所闲置的空间。

这一设计的原理是,RAM可以减缓影像传感器的数据朗读(虽然RAM是最慢的数据存储/采访类型之一,但成本也归属于大头)。


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